泡生法（Kyropoulos method）的原理與提拉法類似。首先原料熔融，再將一根受冷的籽晶與熔體接觸，如果界

面的溫度低于凝固點(diǎn)，則籽晶開始生長(zhǎng)。為了使晶體不斷長(zhǎng)大，就需要逐漸降低熔體的溫度，同時(shí)旋轉(zhuǎn)晶體，以

改善熔體的溫度分布。也可以緩慢地(或分階段地)上提晶體，以擴(kuò)大散熱面。晶體在生長(zhǎng)過程中或生長(zhǎng)結(jié)束時(shí)不與

坩堝壁接觸，這就大大減少了晶體的應(yīng)力，不過，當(dāng)晶體與剩余的熔體脫離時(shí)，通常會(huì)產(chǎn)生較大的熱沖擊。

       泡生法與提拉法的區(qū)別在于，泡生法是利用溫度控制生長(zhǎng)晶體，生長(zhǎng)時(shí)只拉出晶體頭部，晶體部分依靠溫度變

化來生長(zhǎng)，而拉出頸部的同時(shí)，調(diào)整加熱電壓以使得熔融的原料達(dá)到最合適的生長(zhǎng)溫度范圍。

       二十世紀(jì)七十年代以后，該法已經(jīng)較少用于生長(zhǎng)同成分熔化的化合物，而多用于含某種過量組分的體系，可

以認(rèn)為目前常用的高溫溶液頂部籽晶法是該方法的改良和發(fā)展。